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碳化硅的制备及应用最新研究进展 - 汉斯出版社
2024年10月15日 常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。本文对SiC粉体的制备、碳化硅陶瓷烧结技术和应用进 2024年7月19日 溶胶 - 凝胶法. 借助溶胶 - 凝胶技术，实现 Si 源和 C 源的分子级均匀混合，合成温度低、粒度小、纯度高，适用于实验室高纯超细粉体制备。 5 、 热分解法. 通过有机聚合物 碳化硅（SiC）粉体制备技术综述：从传统到前沿金蒙新材料 ...
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碳化硅粉末要点：优点与应用 - 亚菲特
碳化硅粉末要点：优点与应用. 碳化硅粉末是一种用途广泛的高效材料，可用于各种工业和工程应用领域。. 碳化硅粉末的独特性能使其成为磨料、陶瓷和热能工程等领域高要求任务的理想选 2020年3月24日 中国电子科技集团公司第二研究所的李斌等采用自蔓延法合成单晶生长用碳化硅粉体，实验中发现高真空条件下合成的碳化硅粉体纯度优于通载气条件下合成的碳化硅粉体， 高纯碳化硅粉体合成方法研究现状综述
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晶彩科技张磊：超高纯碳化硅粉体制备及高端应用（报告）
2024年6月11日 在国际上率先开发了“无催化引发聚合技术制备高纯碳化硅粉源”关键技术研究，研发的新材料成功应用于半导体制程所需的高精密特种碳化硅陶瓷件、半导体功率器件、集成电 2020年8月21日 中国电子科技集团公司第二研究所的李斌等采用自蔓延法合成单晶生长用碳化硅粉体。实验中发现高真空条件下合成的碳化硅粉体纯度优于通载气条件下合成的碳化硅粉体， 高纯碳化硅粉体合成方法及合成工艺展望_化学
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碳化硅的制备及应用最新研究进展 - 百度学术
碳化硅具有强度大,硬度高,弹性模量大,耐磨性好,导热性强和耐腐蚀性好等优异性能,被广泛地应用于磨料磨具,陶瓷,冶金,半导体,耐火材料等领域.常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法,机械粉 2020年3月31日 碳化硅粉末是一种超硬材料，产品采用绿色碳化硅砂经研磨分级提纯制成，其粒度均匀、硬度高、脆性大、自锐性强，切削能力较强，化学性质稳定，导热性好，可以用作研磨粉、研磨膏类使用什么是碳化硅粉末—碳化硅粉末标准及应用 - Silicon
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高纯碳化硅粉体合成方法及合成工艺展望_化学
2020年8月21日 2.碳化硅粉体合成设备 碳化硅粉体合成设备用于制备生长碳化硅单晶所需的碳化硅粉体，高质量的碳化硅粉体在后续的碳化硅生长中对晶体质量有重要作用。 碳化硅粉体合成采用高纯碳粉和硅粉直接反应，通过高温合成的方法生成。2022年5月20日 碳化硅 具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛地应 用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火 ...碳化硅的制备及应用最新研究进展 - ResearchGate
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【原创】 简述碳化硅的生产制备及其应用领域 - 粉体网
2021年4月7日 中国粉体网讯 碳化硅具有化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好等特点，常用作耐磨材料、结构陶瓷、耐火材料和金属冶金等传统领域中。 同时碳化硅微粉又是一种很好的光伏材料。 随着传统资源的日益 2023年9月12日 碳化硅，又称SiC，是一种由纯硅和纯碳组成的 半导体基材。您可以用氮或磷掺杂 SiC 以形成 n 型半导体，或用铍、硼、铝或镓掺杂以形成 p 型半导体。虽然碳化硅的品种和纯度多种多样，但半导体级品质的碳化硅直到最什么是碳化硅（SiC）陶瓷？用途及其制作方法？ - 知乎
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半导体高纯碳化硅 (SiC)粉料的合成方法及工艺探究的详解；
2024年1月10日 中电科二所的研究人员发现，随着碳化硅合成反应温度的升高，合成的粉料颜色会逐渐变深，可能原因为温度过高会造成SiC分解，颜色变深可能与粉料中过多Si的挥发导致。此外，他们发现当合成温度为1920℃时合成的β-SiC晶型相对较好。2023年2月1日 1.本发明属于陶瓷生产技术领域，具体涉及一种新型陶瓷集成制粉工艺。背景技术： 2.陶瓷制粉(也称为陶瓷造粒)的方法有多种，例如，根据陶瓷原料碾磨过程中是否需要加水，可以将陶瓷制粉方法分为湿法制粉工艺和干法制粉工艺两类。 湿法制粉工艺和干法制粉工艺各有其优 新型陶瓷集成制粉工艺的制作方法 - X技术网
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碳化硅磨粉机-碳化硅雷蒙磨-河南红星机器
2022年8月17日 碳化硅物料的化学性能稳定、导热系数高、耐磨性能好，其经过磨粉加工后，用途更为广泛。碳化硅雷蒙磨机主要由主机、分析器、风机、成品旋风分离器、微粉旋风分离器及风管组成，河南红星生产的碳化硅雷蒙磨各部件均采用了高品质材料制成，制作工艺精湛，加工流程严谨，提高了整个磨粉 ...2024年3月11日 湖南艾普德工业技术有限公司主要产品有：石墨化炉,真空烧结炉,高温纯化炉，实验室石墨化炉，碳化硅烧结炉，真空钎焊炉，碳纳米管石墨化炉，气相沉积炉，真空热压烧结炉和气氛电热设备等,安装服务一体化定制厂家,产品报价合理,各个流程符合规范,提供专业的定制解决方案!真空烧结炉-石墨化炉-高温纯化炉-碳化硅烧结炉-湖南艾普德
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产品中心_湖南艾普德工业技术有限公司
2024年3月11日 石墨化炉，高温真空烧结炉，真空钎焊炉，碳化炉，高温实验炉，热处理炉，金属雾化制粉设备，真空烧结炉。湖南艾普德工业技术有限公司致力于新材料工业炉的研发生产。（咨询热线：.）、硬质合金、陶瓷钎焊、碳素材料、高导热材料、石墨粉体的成套设备的解决方案的高新技术企业。公司建立了金属3D打印全产业链生产线，技术涵盖母合金设计、熔炼、制粉、增材制造、热处理、性能检测等。 ... 的“四高”“两涂”产品（即高纯碳粉、高纯碳化硅粉、高纯碳纤维隔热材料、高纯石墨、碳化硅 ...公司介绍-湖南顶立科技股份有限公司
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平罗县荣昌碳化硅有限公司 - 爱企查
2024年10月9日 简介： 1、基本情况 平罗县荣昌碳化硅有限公司是一家科技型中小企业(2023)、高新技术企业(2022)、小微企业，该公司成立于2004年06月15日，位于宁夏回族自治区平罗县太沙工业区，目前处于开业状态，经营范围包括碳化硅制造、销售，制粉、制砂 ...碳化硅粉生产工艺- 最后是碳化硅粉的热处理环节，通过高温处理，进一步改善碳化硅的晶体结构和物理性质。热处理过程中需要控制好温度梯度和保温时间，以确保碳化硅粉具有优良的热稳定性和耐磨性。总的来说，碳化硅粉的生产工艺包括制备、粉碎 ...碳化硅粉生产工艺 - 百度文库
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碳化硅长晶粉提纯工艺研究,Materials - X-MOL
2022年11月19日 碳化硅（SiC）是一种宽带隙（WBG）半导体材料，其制备工艺对原材料的纯度有严格的要求。采用自主研发的中频感应加热炉对SiC粉体进行粉末热处理和提纯实验，提高粉体纯度。使用 XRD 和 GDMS 表征方法分析纯度为 3.5N 的样品。结果发现，在 ...2021年6月11日 [摘 要]第三代半导体材料碳化硅(SiC)因其禁带宽度大、 热稳定性强、 热导率高、 抗辐射能力强等优点， 以耐高温、 高压、 高频著称， 在功率半导体领域有着广泛的应用前景而成为半导体材料的技术研究前沿和产业竞争焦点。本文详细论述了第三代半导体材料碳化硅(SiC)的生产方法、 研究进展和 ...第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展 - 知乎
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什么是碳化硅微粉—碳化硅微粉标准及应用 - Silicon Carbide
2020年3月31日 碳化硅微粉是一种超硬材料，产品采用绿色碳化硅砂经研磨分级提纯制成，其粒度均匀、硬度高、脆性大、自锐性强，切削能力较强，化学性质稳定，导热性好，可以用作研磨粉、研磨膏类使用2024年2月11日 本研究提出了一种通过碳热还原工艺从镍铁渣酸浸渣中制备碳化硅（SiC）的创新工艺。结果表明，酸浸渣无定形二氧化硅含量高达84.20%，粒径细小，d50 = 29.16 μm，是制备SiC的理想硅源。与炭黑、活性炭、石墨相比，焦炭是更适合制备SiC的碳源。无定形二氧化硅制备碳化硅粉体及其合成机理研究,Minerals ...
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河南省科技基础条件平台 - hnkjt.gov.cn
实验室优化了碳化硅粉体材料的破碎及制粉工艺，使碳化硅颗粒具有良好的颗粒形状（具有多棱角和多锐角），提高制粉成品率，研发了高成品率窄分布、切割能力强的用于太阳能硅片切割的碳化硅微分。 （2）新型碳化硅材料的研发。碳化硅陶瓷及制备工艺-3、热等静压烧结：近年来，为进一步提高SiC陶瓷的力学性能，研究人员进行了SiC陶瓷的热等静压工艺的研究工作。研究人员以B和C为添加剂，采用热等静压烧结工艺，在1900℃便获得高密度SiC 烧结体。更进一步，通过该工艺，在 ...碳化硅陶瓷及制备工艺_百度文库
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碳化硅制备常用的5种方法
2020年8月27日 热压烧结法是将坯体放入耐高温的模具中，再将模具置于能够施加压力的高温炉中，在高温与压力的同时作用下来进行烧结，利用此方法获得的制品的性能较为优异，密度能达到碳化硅的理论密度，同时与其他方法相比其优点还在于不但能降低烧结温度，还能减少制备的时间。2023年10月27日 2．5 压强对合成高纯碳化硅 粉体的影响 高攀等研究了在 100 Torr、300 Torr、500 Torr 和 700 Torr 这四种压强条件下对 SiC 原料合成的影响。Si 粉和 C 粉的摩尔比为 1∶1，合成温度和时间分别为2 000 ℃ 和 10 h。结果发现 100 ～ 300 Torr 条件下合成的原料比较 ...碳化硅（SIC）单晶生长用高纯碳化硅（SIC）粉体的详解 ...
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碳化硅用炭黑 - 知乎
2021年8月9日 炸裂的原因：碳化硅在破碎、制粉、存放中，在标准大气压下碳化硅表面氧化产生SiO2，并带入坯体中，当坯体中炭黑含量较高时，引起素坯局部区域的反应烧结温度过高，加速了SiO2与碳的还原反应，从而使单位时间内气 2023年7月21日 第四标段（监理）：平顶山电子半导体产业园（平顶山高性能碳化硅复合材料产业园）—碳化硅晶粉材料厂房建设项目（第一制粉车间）建筑面积约21000平方米，部分2层，局部四层，平面呈矩形布置，建筑占地面积约8500㎡，单体建筑面积约21000㎡，建筑长约【平公资建2023149号】平顶山电子半导体产业园（第三、四 ...
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碳化硅简介 - 知乎
2020年12月7日 表 1 碳化硅主要性能指标 SiC包括250多类同素异构体，其中比较重点的有两种晶型：即β-SiC和α-SiC。如果用SiC制备半导体，通过其自身具有的特性来减少电子器件自身能耗，增强电子器件的利用率，SiC与Si、GaAs性能参数对照见表1.2。2023年8月31日 首页-碳化硅微粉_碳化硅超细粉_高密度碳化硅_碳化硅抛光粉_正鑫碳化硅_昌乐县正鑫碳化硅材料有限公司昌乐县正鑫碳化硅材料有限公司位于山东省昌乐县经济开发区。公司以研发生产碳化硅粉、碳化硅超细微粉、超细磨机、高密度碳化硅微粉、高纯度碳化硅微粉为主导产 首页_碳化硅微粉_碳化硅超细粉_高密度碳化硅_碳化硅抛光粉 ...
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碳化硅陶瓷的制备技术 - 豆丁网
2018年11月7日 一、碳化硅的前沿二、SiC粉末的合成三、SiC的烧结方法四、反应烧结碳化硅的成型工艺五、碳化硅陶瓷的应用1碳化硅陶瓷材料具有高温强度大，高温抗氧化性强、耐磨损性能好，热稳定性佳，热膨胀系数小，热导率大，硬度高，抗热震和耐化学腐蚀等优良特性.在汽车、机械化工、环境保护、空间 ...2020年7月2日 感应式碳化硅烧结炉 用途： 主要用于硬质合金、粉沫冶金行业生产各种粒度的碳化硅粉、碳化硅密封陶瓷烧结、无压碳化硅烧结、碳化钛粉、碳化钒粉等金属粉末及复合金属粉末。 特点： 1. 采用电磁感应加热，热效率高，发热体使用寿命长。感应式碳化硅烧结炉，真空烧结炉，碳化硅真空烧结炉_湖南艾 ...
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使用碳包覆气相二氧化硅合成 β 碳化硅粉末 - X-MOL科学 ...
1998年5月1日 研究了通过碳包覆二氧化硅和与炭黑混合的二氧化硅的碳热还原合成β碳化硅（β-SiC）粉末。使用碳包覆二氧化硅生产 β-SiC 粉末包括两个步骤。第一步是通过碳氢化合物气体 (C3H6) 的热裂解用碳包覆气相法二氧化硅颗粒来制备碳包覆二氧化硅前体。2019年7月2日 本系列真空气雾化制粉 设备主要用于材料的雾化试验和小批量生产。型号：HY-VGA-20Kg 炉容量：20Kg（以铁堆积密度计算 ... 标热工装备广泛应用于粉末冶金，金属注射成形（MIM），非氧化物陶瓷（氮化铝，氮化硅，碳化硅）、高性能陶瓷、硬质合金 ...20Kg高真空气雾化制粉设备 湖南汉冶科技有限公司
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碳化硅陶瓷的合成工艺介绍 - 知乎
2021年11月19日 碳化硅陶瓷具有耐磨性好、硬度高、热稳定性好坣壱屲、温度强度大、膨胀系数小、热导率大以及抗热震和耐化学腐蚀等优良特性，那么接下来给大家介绍一下碳化硅陶瓷的合成工艺。 碳化硅陶瓷的合成工艺1、碳化硅陶瓷的
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